АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (ЗНТЦ) завершило третий этап разработки российской фотолитографической установки с проектными нормами 130 нанометров — оборудования, критически важного для отечественного производства микрочипов. Установка предназначена для проекционного переноса топологического рисунка на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм.

Кто участвовал в разработке

  • ЗНТЦ (Россия) — общая архитектура установки, конструктив, расчёты оптических объективов;
  • ОАО «Планар» (Белоруссия) — механические узлы и интеграция, затраты на этот блок работ составили 1 млрд рублей;
  • «ЛАССАРД» — разработка эксимерных лазеров с длиной волны 193 нм, затраты — 500 млн рублей.

Ключевое техническое решение

Главная особенность проекта — использование собственных эксимерных лазеров с волной 193 нм для DUV-литографии (глубокого ультрафиолета). В рамках третьего этапа изготовлены два опытных лазера, фотошаблоны и специальный стенд для измерения и контроля фотолитографических характеристик объективов.

Что такое фотолитография простыми словами

Фотолитография — ключевой процесс производства микрочипов, при котором на кремниевую пластину проецируется чертёж будущей микросхемы через специальную оптическую систему, а затем эта схема химически «проявляется» на поверхности пластины. Точность и разрешение этого процесса определяют, насколько мелкие элементы можно разместить на чипе — чем меньше техпроцесс (в данном случае 130 нм), тем менее плотной получается схема по сравнению с современными зарубежными чипами (5-3 нм), но такой уровень достаточен для значительной части промышленной и автомобильной электроники.

Почему использование собственных лазеров — принципиальный момент

Источник излучения — один из самых технологически сложных и дорогих компонентов литографической установки, и именно на нём чаще всего построена зависимость производителей чипов от ограниченного числа зарубежных поставщиков. Разработка собственных эксимерных лазеров с длиной волны 193 нм означает, что российская установка не завязана на импортный источник света — критически важный узел, доступ к которому может быть ограничен санкциями в любой момент.

Финансирование и сроки

Минпромторг выделил на весь проект 5,7 млрд рублей, из которых третий этап обошёлся в 2,46 млрд рублей — соответствующий акт подписан 7 августа 2026 года. Проект столкнулся с задержкой: сдачу этапа планировали на март, фактически завершили в августе — на пять месяцев позже графика, что типично для проектов такого уровня технологической сложности.

Что дальше

По словам главы ЗНТЦ Анатолия Ковалева, на данный момент создан только опытный образец степпера — то есть установка ещё не готова к серийному производству. Контракты на серийные поставки планируются на 2027 год, после проведения предварительных испытаний. Прогнозируемый спрос со стороны российской микроэлектронной промышленности оценивается в 15-25 установок в период до 2030-2032 годов.

Для каких отраслей предназначен техпроцесс 130 нм

Технологический узел на 130 нм ориентирован не на потребительскую электронику вроде смартфонов, где критична максимальная плотность транзисторов, а на автомобильную электронику, энергетику, промышленные контроллеры и специальные системы — сегменты, где важнее надёжность и достаточная, а не предельная производительность чипа. Именно в этих сегментах зависимость от импортных компонентов создавала наибольшие риски для промышленности при перебоях в поставках.

Итог: Опытный образец литографа на 130 нм с собственными эксимерными лазерами — важный шаг к независимости российской микроэлектроники от импортного литографического оборудования, но путь до серийных поставок займёт ещё несколько лет: контракты ожидаются не раньше 2027 года, и производство пока рассчитано на промышленные, а не потребительские чипы.

Читайте также: